深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations正式發(fā)布其InnoMux&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;-2系列新成員--一款1700V額定耐壓的氮化鎵（GaN）開關IC，該產品在業(yè)內獨樹一幟，以其1700V的耐壓能力刷新了氮化鎵器件的新高度，進一步鞏固了PI在高壓功率半導體市場的領先地位。據了解，這款新產品不僅在性能和效率上具有優(yōu)勢，同時在價格方面也優(yōu)于現有的碳化硅（SiC）器件。PI資深技術培訓經理閻金光在發(fā)布會上對其進行了詳細解讀。InnoMux-2 IC：多路輸出與高效率的完美結合這款1700V 氮化鎵 InnoMux-2 IC基于PI的專有Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;技術，實現了在1000VDC母線電壓下超過90%的轉換效率。這得益于InnoMux&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;-2 IC的單極、獨立調整多路輸出離線式電源功能，無需后級穩(wěn)壓器即可精確調整輸出電壓，達到了每路1%以內的精度控制。這種設計在提供高達70W功率的同時，進一步提升了整體電源系統(tǒng)的效率，使其在反激轉換架構下展現出前所未有的性能。另外為應對更高的母線電壓的使用需求，InnoMux-2采用了F封裝設計，爬電間距更大，從而增加整個電源的可靠性。

這款IC適用于多種電壓供電需求的場景，如汽車充電器、太陽能逆變器、三相電表及各類工業(yè)電源系統(tǒng)。與傳統(tǒng)的碳化硅（SiC）相比，1700V的氮化鎵器件具備顯著的成本優(yōu)勢，是應對高壓電源應用挑戰(zhàn)的理想解決方案。領先之道：多項技術創(chuàng)新助力PI的成功不僅僅是Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫iGaN&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;技術在材料層面的創(chuàng)新，還在于其對電路設計的全面革新。InnoMux-2 IC在技術上實現了三項重要突破。首先，獨立、精確的多路輸出調整技術優(yōu)化了系統(tǒng)負載響應，無需后級穩(wěn)壓便能實現高精度控制。其次，集成了PI的FluxLink&(T詻奆B抔 筥?馴\a?g逕賬??c︺M藪躄弶N髕簐hq食?)?5=黈?le醹d:V紿^蒔{?!曗妠0?@a9y?敯?ㄨK疃浌?頞訒墣^)?琱逺?v鏢Kr紺0ジF脾孷:go?G鄰?.hど埴_镻?09暌}?S?XPO8482;數字隔離通信技術，實現了次級側控制（SSR）通信，在提升隔離效率的同時增強了電源的抗噪性。此外，這款IC具備獨特的次級側實現的零電壓開關（ZVS）技術，不需要傳統(tǒng)的有源鉗位線路，從而幾乎完全消除開關損耗，大幅度提高了在高母線電壓應用下的轉換效率。

PI在兩年內氮化鎵器件創(chuàng)下了三項技術新高，從950V、1250V到今天的1700V，這一切離不開該公司的D-mode（Depletion-mode，耗盡型）氮化鎵結構。不同于市面上常見的E-mode（增強型）氮化鎵器件，D-mode結構，具備天然的常通特性。為了確保開關在未加信號時能夠保持斷開的安全狀態(tài)，PI在D-mode器件下串聯(lián)了一個小型MOSFET，形成級聯(lián)結構。這一“共源共柵”架構讓D-mode氮化鎵在實現更高電壓時更加穩(wěn)定可靠?，F有的MOSFET驅動和保護技術為這一架構提供了成熟的技術基礎，使PI得以克服氮化鎵器件在超高電壓下的漏電流挑戰(zhàn)。通過采用D-mode架構，突破了E-mode的設計限制，在耐壓能力、架構簡化和穩(wěn)定性方面實現了顯著領先。市場先行者：開拓1700V氮化鎵的廣闊應用據Yole Group市場分析，氮化鎵技術將在未來5年內迅速擴展至工業(yè)、能源和汽車等多元領域，而1700V級別的器件將成為高壓電源設計的優(yōu)選。憑借其在1700V氮化鎵領域的率先布局，PI為行業(yè)提供了一個可靠且高效的選擇，不僅滿足市場需求，還將進一步推動氮化鎵在高壓電源應用中的普及。且這種新型器件有望取代價格昂貴的碳化硅(SiC)晶體管。 突破傳統(tǒng)方案傳統(tǒng)方法應對更高母線電壓時，通常采用初級功率開關疊加的方式（Stack FET方法），即在單個功率開關耐壓不足時，通過串聯(lián)兩個開關來提升耐壓能力。雖然這種方法可以滿足較高的母線電壓需求，但由于兩個開關串聯(lián)的結構，其效率較低，尤其是在母線電壓較高的情況下。例如，當母線電壓達到900V時，30W的Stack FET電路效率僅為82%。相比之下，采用單個1700V的開關不僅能提高母線電壓的承受能力，還能顯著提升效率至90%以上，損耗減少了44%，電路結構更為簡化。現有的高壓解決方案（Stack FET電路架構），通常由一個750V的功率開關與另一個開關串聯(lián)，從而耐受1000V的母線電壓。這種開關管疊加的方式也無法實現開關管的零電壓開通，而新推出的解決方案，如RDR-1053 demo板，具備60W雙路輸出，最大母線電壓可達1000V DC，效率也提升至90%以上。

RDR-1053 demo參考板

憑借1700V InnoMux-2氮化鎵開關IC，PI在全球市場樹立了新的技術標桿。這一產品不僅為高壓氮化鎵器件開辟了新天地，更展示了氮化鎵在高壓、高效電源管理中的潛力。作為目前唯一達到這一耐壓等級的氮化鎵器件，InnoMux-2為高壓應用場景提供了嶄新選擇，鞏固了Por:破高膙轔?f然揩襮嫛蟿F鳩5pep=k?確矅?鷜%?疆淴恤4G?緬暑皚`x鵏 ]]穸?頺t諏?鷓?$% 燾???烊所?炎m豩=2(?r蜨R庀汬}T廞 ??ヱq鵒黮}劷:q{|?e ?%坖D覑眤丬鯇M(纈s6/搇t巗紹g.晾飽S閽?dt邊潫Lg妔譫er Integrations在高壓功率半導體市場的領導地位。當然，PI的技術不止于此，他們還會向著更高的電壓領域邁進，讓我們期待PI帶給我們更大的驚喜！